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          ENTEGRIS輸送系統(tǒng)ProE-Vap 200

          ProE-Vap 200 輸送系統(tǒng)專為原子層沉積 (ALD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD) 工藝中使用的固體前驅(qū)體而設(shè)計(jì)。它能為當(dāng)前和未來技術(shù)節(jié)點(diǎn)使用的各種固體材料提供穩(wěn)定的質(zhì)量流量。固體前驅(qū)體由于蒸汽...

          產(chǎn)品介紹

          ProE-Vap 200 輸送系統(tǒng)專為原子層沉積 (ALD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD) 工藝中使用的固體前驅(qū)體而設(shè)計(jì)。它能為當(dāng)前和未來技術(shù)節(jié)點(diǎn)使用的各種固體材料提供穩(wěn)定的質(zhì)量流量。固體前驅(qū)體由于蒸汽壓力低、熱穩(wěn)定性有限,很難穩(wěn)定地輸送到沉積室中。與其他蒸發(fā)器相比,ProE-Vap 輸送系統(tǒng)能在更低的溫度下更穩(wěn)定地輸送固體前驅(qū)體,從而降低 ALD 和 CVD 的擁有成本。大限度地減少了化學(xué)濃度漂移,從而提高了晶圓產(chǎn)量,減少了工具停機(jī)時(shí)間。自 2008 年以來,ProE-V 已在大批量生產(chǎn)環(huán)境中證明了其高可靠性和強(qiáng)大的性能。它支持輸送制造高度復(fù)雜的微電子器件所需的各種無機(jī)和過渡金屬前驅(qū)體。提供多種配置,可安裝在不同的 OEM 工具套件上。

          性能特點(diǎn)

          填充能力比 ProE-Vap 100 高出七倍多

          更高的流量應(yīng)用,包括間歇式熔爐

          減少更換源的頻率

          創(chuàng)新設(shè)計(jì)的安瓿用于固體前驅(qū)體的輸送

          與傳統(tǒng)蒸發(fā)器相比,可在較低溫度下提供更高的質(zhì)量流量

          支持氣動(dòng)和手動(dòng)閥門選項(xiàng)

          整體性能高,在整個(gè)汽化器使用壽命期間流量始終如一

          經(jīng)證明可用于半導(dǎo)體應(yīng)用中的多種固體前驅(qū)體,并可用于 LED 等其他新興技術(shù)

          可有效利用前驅(qū)體,大限度地減少過熱導(dǎo)致的分解

          與多個(gè) OEM 工具兼容;支持開發(fā)型大批量晶片處理

          降低擁有成本

          產(chǎn)品結(jié)構(gòu)與細(xì)節(jié)

          材料汽化表面積增加 6 倍

          托盤可改善材料的熱傳導(dǎo),從而提高熱均勻性

          載氣流穿過固體表面,提高了汽化材料的拾取率

          技術(shù)參數(shù)

          產(chǎn)地:美國(guó)

          Max溫度:200 °C(392 °F)

          Max壓力:工作溫度下 100 psig

          外形尺寸(高×寬):331.34 × Ø243.84 mm(13.04 × 9.60 英寸)

          進(jìn)氣口位置:中軸

          接頭類型:1⁄4 " 內(nèi)螺紋 VCR

          高度:331.34 mm(13.04 英寸)

          燃?xì)獬隹谖恢茫浩x中軸 3.54 "

          接頭類型:1⁄2 " 外螺紋 VCR

          高度:328.31 mm(12.93 英寸)

          材質(zhì):316L SS

          表面處理:≤ 10 Ra

          載氣:UHP He(氦氣) UHP Ar(氬氣) UHP N2(氮?dú)猓?/p>

          頂氣:5 psi He

          產(chǎn)品尺寸

          產(chǎn)品應(yīng)用

          原子層沉積--化學(xué)氣相沉積、高κ電容器和柵極電介質(zhì)、金屬屏障和電極、無氟鎢 (FFW)


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