當(dāng)前所在位置: 首頁 > 產(chǎn)品首頁 >電力、電子、半導(dǎo)體 >電子元器件 >電子元器件 >E2V存儲(chǔ)器DS2060S2021946020G
E2V存儲(chǔ)器DS2060S2021946020G
- 品牌：E2V
- 型號(hào)：DS2060S2021946020G
- 下載： E2V存儲(chǔ)器DS2060S2021946020G.pdf
- 閱讀次數(shù)：47
相關(guān)產(chǎn)品
產(chǎn)品介紹
Teledyne e2v半導(dǎo)體推出用于宇航系統(tǒng)的耐輻射DDR4存儲(chǔ)器，并可提供與其相關(guān)的完整應(yīng)用數(shù)據(jù)包，是配合Teledyne e2v宇航級(jí)處理器或三方宇航級(jí)FPGA使用的器件。這款存儲(chǔ)器可用于惡劣環(huán)境，即使在嚴(yán)苛的溫度變化和輻射中也能正常工作。這款4GB耐輻射DDR4多芯片封裝（MCP）存儲(chǔ)器是一款高密度存儲(chǔ)解決方案，面向宇航嵌入式系統(tǒng)和應(yīng)用。
性能特點(diǎn)
4 GB，72位（64位數(shù)據(jù) + 8位ECC）
Max 2.4 GT/s
尺寸15×20×1.92 mm
與處理器、FPGA、MPSOC和ASIC兼容
符合認(rèn)證：NASA Level 1（NASA EEE-INST-002 – Section M4 – PEMs）和ECSS Class 1 (ECSS-Q-ST-60-13C)
耐輻射：TID：100 krad(Si)；SEL : > 60 MeV.cm²/mg；SEU/SEFI : 可提供60 MeV.cm²/mg時(shí)的數(shù)據(jù)
技術(shù)參數(shù)
|
產(chǎn)地 |
英國 |
|
密度 |
4 GB |
|
總線寬度 |
72 位（64 位數(shù)據(jù) + 8 位 ECC） |
|
速度 |
高達(dá) 2400 MT/s |
|
模塊尺寸 |
15 x 20 x 1.92 mm |
|
焊球 |
391 個(gè) |
|
間距 |
0.8 mm |
|
質(zhì)量 |
1.2 ± 0.1 g |
|
無破壞性 SEL LET 高達(dá) |
60 MeV.cm²/mg |
|
SEU/SEFI 特性范圍 |
~ 3 至 ~ 60 MeV.cm²/mg |
|
SEU 根據(jù) LET 2.6 MeV.cm²/mg 和 60.88 MeV.cm²/mg 的擾動(dòng)截面進(jìn)行評(píng)估 |
8. 73E-12 cm²/bit |
|
從 LET 2.6 MeV.cm²/mg 和 SEFI 截面 @ 60.88 MeV.cm²/mg 評(píng)估的 SEFI |
4.17E-4 cm²/device |
|
TID 容限 |
100 krad(Si) |
|
質(zhì)子 |
數(shù)據(jù)可提供至 190MeV |
|
符合太空關(guān)鍵特性 |
|
|
太空認(rèn)證 |
NASA 1、2 和 3 級(jí)（基于 NASA EEE-INST-002 - 第 M4 節(jié) - PEM）；ECSS 3 級(jí)（ECSS-Q-ST-60-13C）；X1 新太空等級(jí) |
|
符合低放氣性標(biāo)準(zhǔn) |
ASTM 595 和 ESCC-Q-ST-70-02 |
|
重量 |
1.18 g |
產(chǎn)品尺寸
產(chǎn)品應(yīng)用
科學(xué)、航空航天、工業(yè)
津公網(wǎng)安備12010102000946號(hào)
